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六天会期 三个会议 一个展览 TechnicalFeature 技术特写

毫米波通信铺平了
道路，正如这在军 从产品
当前的蜂窝频段大约包含 用雷达领域一样。
欧洲微波周2017 600MHz的频谱 CMOS和SiGe 到解决方案
纽伦堡会议中心 技术的进步使得毫
德国纽伦堡 米波频率的使用成
2017年10月8-13日 本降低到较为合理
的水平。过去十年 RF 微波
才实现了模拟组件
的封装（用于生成 毫米波
毫米波射频信号）
欧洲微波、射频、无线电和 以及数字硬件的开 Ducommun (杜克曼)是一个
发（用于处理大量
带宽）。现在使用 成立于1849年，营额七亿美元
雷达行业无比重要的活动 图1. 美国无线通信可用的频段 的晶体管具有足够快的速度，能够在数 员工五千的美国上市公司。
CMOS和SiGe制造
百GHz范围内运行，如表1所示。SiGe 在标准及定制毫米波放大器
HBT目前广泛用于许多应用中，因为它 产品的设计，测试和制造方
速度快、集成度高，但击穿电压较低， 面，Ducommun 积累了50
不过在许多情况下可以通过堆叠来克服
这一问题。 年的经验
低成本的电路生产工艺使得片上系
会议 (2017年10月8 – 13日) 统（SoC）毫米波无线电成为可能，SoC
是指将所有模拟和数字无线电组件完全
• 欧洲微波集成电路会议 (EuMIC) 集成到单个芯片上。对于毫米波通信，
半导体行业已准备好生产经济高效的大 大功率，单一直流供电/内部偏置电路
2017年10月9–10日 众市场产品。对于需要高度定制性能的
• 欧洲微波会议 (EuMC) 2017年10月10–12日 小批量应用，屏蔽金属外壳通常采用基
于陶瓷/石英基板的薄膜混合技术和毫米
• 欧洲雷达会议 (EuRAD) 2017年10月11–13日 波MMIC，薄膜混合技术常用于滤波器/
• 另外有研讨会和短期课程 (2017年10月8日开始) 配电电路。这些应用包括测试设备、卫
星通信、回程无线电和军工航天应用。
• 此外，EuMW还将第8年举办“防御、安全和空间论坛”，2017年10月11日 图5显示了使用陶瓷基板和毫米波MMIC 32-36 GHz 功率放大器
的E-Band收发器（无盖）。 • 型号：AHP-34043530-01
• 增益：30 dB (最小值)
免费观展 (2017年10月10–12日) 汽车雷达 • 增益平坦度：+/- 2.0 dB (最大值)
历史 • 功率：34 dBm (P1dB)，35 dBm (Psat)
汽车雷达的研发始于20世纪70年
展览可以免费参观！今天就注册吧。造访300多家国际参展商， 代。1989年，在测试了不同频率的雷达 Ka波段GaN功率放大器
与开发未来微波技术的专家面对面交流。展览厅还有参展商的演示、 后，WARC(World Administrative Radio
Conference)确定了77GHz频段作为汽车
行业研习会和欧洲微波周微波应用年度研讨会 (MicroApps)。 雷达的频段。但直到1998年，梅赛德斯
才率先开发出77GHz的商用产品。2006
年，为了满足更短距离应用的需求，
24GHz雷达诞生了。77GHz雷达主要用
官方出版物: 主办单位: 支持单位: 协办单位: 协办单位: 协办单位:
图2. 德国汉堡微波塔。图片版权所有： 表1 27-31 GHz、8W GaN 功率放大器
Kristof Hamann 不同半导体技术的截止频率 • 型号：AHP-29043925-G1
• 增益：25 dB（典型值），23 dB（最小值）
GaN已广泛应用于宽带功率应用。InP 技术 f
T • Psat：39 dBm（典型值），38 dBm（最小值）
HEMT/mHEMT通常用于超高频下的 • 22%功率附加效率
GaAs mHEMT 1000 GHz
低噪声应用。InP HBT在高频下表现良
好，具有足够的击穿电压和便于集成 GaN HEMT 300 GHz
协办方: 协办方: 协办方: 这一优点。图3和图4所示是一个在50至 欲了解更多信息，
100GHz频带下运行的高性能毫米波功率 InP HBT 500 GHz 请联系我们的销售团队 联系方式
放大器和低噪声放大器MMIC的示例。 SiGe HBT 250 GHz +1 (310) 513-7256 或
rfsales@ducommun.com
集成式毫米波发射器和接收器的最新进
展以及新的相控阵列和波束赋形技术为 RF CMOS 45 nm 400 GHz
立刻注册为会议代表或展览观众： Microwave Journal China 微波杂志 Sep/Oct 2017 45