Page 36 - MWJC_SepOct2017_eMag
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TechnicalFeature  技术特写


                                                                                  改进的电源由收发器供应商来提供。而
                 带有APT的典型PA                                                       对于APT的情况,手机必须另外增添电
               直流功率消耗  带ET的HPUE PA                                                制造方面的挑战
                 标准PA
                                                                                  源,会占用线路板空间并增加成本。


                                                                                     ET的生产制造已被证明与基本技术
                                                                                  一样具有挑战性。在过去两年中将ET引
                    0   10  20  30   40
                                                                                  入到大批量手机生产中揭示了在校准时
                   天线端口处的瞬时RF功率(dBm)
                                                                                  间延迟和增益设置方面的问题。一个需
             图2:三种PA结构的瞬时效率。                                                      求是对射频路径延迟的校准和对电源包
                                                                                  络的时间标定。在ET的早期发展中,信
                                                                                  号带宽为1.25 MHz,延迟不是关键,超
                   带APT的HPUE PA                图4:Galaxy S7智能手机。                  过10 ns都曾经可以接受。对于20 MHz的                                                                                 特性:
                 平均DC功耗                        所有这三个功能的芯片公司。                      LTE信号,在所有工作条件下的延迟失                                                                                      •   容值范围:
                   带ET的HPUE PA
                                                                                  配必须低于约2 ns。明年,当40 MHz的
                                                                                                                                                                                            2.2 到 20,000 pF
                                                   提高小放大器的输出功率可以避免
                                               使用更大的低效PA。ET系统将电源提                 LTE信道使用ET时,延迟失配必须小于                                                                                     •  外形尺寸
                                                                                  1 ns。生产测试已经发展到可以应对这
                    –10  0   10  20  30        高到更高的偏置电压——使用适当的电                  一挑战,方法是在收发器中内置额外的                                                                                         外形尺寸 C (0.250’’ x 0.250’’)
                    天线端口的平均RF功率(dBm)           源组件使其比手机电池的标称3.5 V更                “钩子”(hook),这样收发器就可以                                                                                       外形尺寸 E (0.380’’ x 0.380’’)
                                               高——使PA的工作点超越先前的限制而                 接收到延迟失配的反馈,并能自动使之                                                                                         外形尺寸 H (0.720’’ x 0.740’’)
             图3:高PAR波形的APT与ET PA效率对比。
                                               不牺牲效率。APT放大器还可以通过支                 最小。
             件必须仔细平衡,以控制电源电压和射                 持更高的偏置电压来提高功率。然而,                     温度增益也是令人头痛的生产问                                                                                       • 低损耗, 坚固的 NPO 介质材料
             频波形之间的增益和时间延迟。对延迟                 对于高功率LTE来说,APT的效率较                 题。手机OEM通常有大约10种型号的                                                                                      •  最高额定电压可达
             进行精确校准在数亿台手机的生产中至                 低,因为在高峰均差波形中的恒定功率                  手机,涵盖10到15个频段,大约有10种                                                                                      8000  WVDC
             关重要。实现这种严格的控制需要收发                 波动在低效运行条件下会耗费大量的时                  温度。OEM通过创建查找表格来调整
             器、PA和电源供应商互相妥协。出于这                间(见图3)。此外,ET比APT更容易                PA温度增益。这个乏味的任务要花费                                                                                       •  符合 RoHS 标准, 无铅
             个原因,领先的ET解决方案来自于提供                为多数OEM所接受:采用ET解决方案,                至少$100,000用于测试室、设备和技术
                                                                                  人员支持。对于一个生产2亿部手机的
                                                                                  OEM,每部手机0.0005美元的分摊成本
                                                                                  是微不足道的。然而,对于每款手机只
                                                                                  生产一百万部的OEM,每部手机的分
                                                                                  摊成本就是0.10美元。为了解决这个问
                                                                                  题,DPD引入感知输出信号的反馈路                                                                                        无线铁塔影像
                                                                                  径,这个信息可以降低成本和减少测试                                                                                        由 Tom Rauch, W8JI 提供
                                                                                  麻烦。一旦实现,特性测试可以减少到
                                                                                  只在室温下进行一次测试。                                                                                   100            800 E ESR 与 频率
                                                                                     ET的好处已经在最新高端手机中实                               优势:                   应用:
                                                                                  现,包括三星Galaxy S7(见图4)、小                            •  卓越的高额定电压           • 高特斯拉核磁共振影
                                                                                  米5和许多其它型号。在这些产品型号                                                          像线圈                                                      10 pF
                                                                                  中,校准和个性化仍然很昂贵,但很明                                 •  先进的银电极系统           •  高频 / 射频 (HF/RF)                                          12 pF
                                                                                                                                      设计
                                                                                  显,大量的经验将节省成本,并随着时                                                                                                                   22 pF
                                                                                                                                                                                                                      47 pF
                                                                                  间的推移简化过程。旗舰智能手机平台                                 •  坚固的 NPO 陶瓷结           功率放大器和发射机                                                220 pF
                                                                                  上的新ET设备已经在简化制造方面迈出                                  构,耐用,可靠性高           •  天线调谐               ESR (毫欧姆)  10                         330 pF
                                                                                  了重要的步伐。                                                                                                                             560 pF
                                                                                                                                    • 优化核磁共振成像扫           •  等离子腔                                                     750 pF
                                                                                                                                       描仪图象质量
                                                                                                                                                                   ESR (MilliOhms)
                                                                                  结论                                                                      • 工业激光器                                                     5100 pF
                                                                                     随着视频聊天和增强现实(AR)                                •  在高射频功率应用中
                                                                                  应用的普及,上行数据容量变得越来越                                   具有卓越的散热功能
                                                                                                                                                                                       10                100               1000
                                                                                  重要。今天,Band 41运营商正在推动使
                                                                                                                                                                                                   频率 (MHz)
                                                                                  用HPUE。在未来几年,在所有TDD频
                                                                                  段,以及没有传统2G/3G/4G技术的高频
                                                                                  FDD频段比如Band 7(即2.5 GHz上行)
                                                                                  中,将需要运行更高功率的手机。没有                                           American                Technical                Ceramics
                                                                                  一家智能手机OEM想通过另加电源来提
                                                                                  高电压,也没有人想浪费电池功率。在
                                                                                  未来两年内,在中档手机和高档手机平
                                                                                  台中,ET应该会变得非常普遍。■
                                                                                                                                               THE ENGINEERS’ CHOICE ®        www.atceramics.com
             34                                                             Microwave Journal China  微波杂志  Sep/Oct 2017










                                                                                                                                       ATC Technical Productions                  Issue: September / October_2017
                                                                                                                                       Ad: 800 Series High RF Power               Trim Size: 7 13/16” x  10 3/4”
                                                                                                                                       Media: Microwave Journal China             Document TP: 1718
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