能讯半导体发布新款S波段、适合5G主通信频段应用的碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）射频功率放大器D1H27260E1，助力5G网络发展。D1H27260E1工作频率范围为2515-2675MHz，全频段内饱和功率达到260W，平均输出功率28W时，其线性增益为14.5dB，开环线性接近-30dBc，线性效率大于51.5%。

D1H27260E1采用非对称Doherty设计，工作电压48V，封装形式为陶瓷NI-780-4。其更高的效率减少了电路板上的功率损失，有效地改善了系统的热设计，非常适合5G通信中的宽带应用。

除本款产品，能讯半导体将于2019年陆续推出多款S波段和C波段、不同功率等级、适合5G通信基站应用的系列产品。能讯半导体提供业内种类丰富的GaN-on-SiC射频功率放大器。产品具有高效率、高增益、小尺寸、高可靠性的特点。

产品特色：

工作频率：2515-2675MHz

饱和功率：260W

线性增益：14.5dB

线性效率：51.5%

封装形式：陶瓷780-4

符合无铅和RoHS标准

Doherty PA脉冲测试性能：

偏置条件：Vds = 48V，主管Ids = 200mA，峰管Vgs = -4.2V

测试信号：Pulse Width = 100 µs, Duty Cycle = 10 %

Doherty PA DPD性能:

偏置条件：Vds = 48V，主管Ids = 200mA，峰管Vgs = -4.2V

测试信号：单载波WCDMA信号，PAR = 7.5dB