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用于基站的单刀双掷开关 Nisshinbo Micro Devices, Inc.,www.nisshinbo-microdevices.co.jp
Nisshinbo Micro Devices推出了专为5G基础设施设计的单刀双掷(SPDT)开关NT1819。它支持3.3至5.0GHz频段,在3.0x3.0mm封装内提供超过60dB的隔离性能。 这种隔离性能降低了5G基站中相邻器件之间的干扰,是数字预失真信号组合等应用的一大优势。内置50Ω吸收性负载可确保阻抗匹配,而不受开关状态的影响,这有助于抑制信号反射并提高系统稳定性。 除了在主要5G频段的隔离性能外,NT1819的频率范围为0.2至7.125GHz,插入损耗为0.7至1.2dB,开关速度为250ns。此外,它还能在-40°C至+105°C的温度范围内可靠运行,确保在各种部署环境中都能发挥性能。凭借这些特性,该产品非常适合广泛的下一代通信系统应用,包括美国的Wi-Fi和免许可频谱的通信。其封装和性能支持引领现代射频系统的小型化和集成化趋势。 除器件供应外,Nisshinbo还为模块制造提供先进的解决方案服务。这些服务包括裸片安装技术,可直接集成到基板或载体上,从而简化生产流程并减少空间和成本。
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